型号: QPD1019
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
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RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 16.3 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流: 15 A
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 522 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置: Single
工作频率: 2.9 GHz to 3.3 GHz
商标: Qorvo
开发套件: QPD1019EVB01
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
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