型号: QPD2793
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: -
Vgs-栅源极击穿电压 : -
Id-连续漏极电流: -
输出功率: 200 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: -
Pd-功率耗散: -
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI400-2
封装: Tray
应用: Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置: Single
工作频率: 2.62 GHz to 2.69 GHz
系列: QPD
商标: Qorvo
正向跨导 - 最小值: -
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
零件号别名: 1130771
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