型号: QS8F2TCR
功能描述: MOSFET Complex Trans BIP PNP + MOS Pch
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSMT-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel, PNP
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: QS8F2
晶体管类型: 1 P-Channel, PNP
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 85 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：王天天
电话：13636613189
Q Q:
