型号: QSB363_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
最大功率耗散: 75 mW
最大暗电流: 100 nA
封装 / 箱体: T-3/4
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
下降时间: 15 us
最大工作温度: + 85 C
最小工作温度: - 25 C
封装: Bulk
上升时间: 15 us
类型: IR Chip
波长: 940 nm
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