型号: QSZ3TR
功能描述: Rohm Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Rohm Semiconductor
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: NPN,PNP(耦合发射器)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 3A
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 270 @ 500mA,2V
功率 - 最大值: 500mW
频率 - 跃迁: 280MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
供应商器件封装: TSMT5
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