型号: R6012JNJGTL
功能描述: NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012
制造商: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 390 毫欧 @ 6A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 28nC @ 15V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 900pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LPTS
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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