型号: R6046ANZC8
功能描述: MOSFET SILICON N-Ch MOS FET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 130 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 100 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 360
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 230 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
零件号别名: R6046ANZ
单位重量: 5.500 g
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