型号: RDN080N25
功能描述: MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Bulk
商标: ROHM Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置:
下降时间: 28 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
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