型号: RDN080N25
功能描述: MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Bulk
商标: ROHM Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置:
下降时间: 28 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：钟丽君
电话：13928452225
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13632699811
Q Q:
联系人：雅可
电话：18824568578
Q Q:
