型号: REN2SJ181STRE
功能描述: Trans MOSFET P-CH 600V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) T/R
制造商: renesas electronics
包装： 3DPAK(S)
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 0.5 A
RDS -于： 25000@10V mOhm
最大门源电压： ±15 V
典型导通延迟时间： 7 ns
典型上升时间： 20 ns
典型关闭延迟时间： 35 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
联系人：周
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