型号: RFD12N06RLE
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 485pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 40W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 63 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251AA
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱先生，黄小姐，寒小姐
电话：13266695626
Q Q:
联系人：徐先生
电话：18801223958
Q Q:
联系人：盛建容
电话：18964393960
Q Q:
