型号:  RJH60A81RDPD-E0#J2

功能描述:   IGBT 600V 10A 29.4W TO-252

制造商:  Renesas Electronics America

标准包装：  3,000

IGBT 型 ：  Trench

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  600V

蒸气云爆炸（上）（最大值）”的发展，集成电路：  2.4V @ 15V, 5A

集电极电流（Ic）（最大）：  10A

当前 - Collector Pulsed (Icm)：  -

功率 - 最大：  29.4W

Switching 能源：  130µJ (on), 60µJ (off)

输入 型 ：  Standard

栅极电荷：  11nC

Td（开/关）@ 25°C：  30ns/40ns

测试条件：  300V, 5A, 5 Ohm, 15V

反向恢复时间（trr）：  100ns

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型 ：  Surface Mount

供应商器件封装：  TO-252

动态目录：  Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17457?mpart=RJH60A81RDPD-E0%23J2&vendor=559&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

匹配代码：  RJH60A81RDPD-E0#J2

I（C ）：  5A

TD （上）：  30nS

包装：  TO252-3

单位包：  3000

标准的提前期：  18 weeks

最小起订量：  6000

T（ R）：  10nS

无铅Defin：  RoHS-conform

TD （关闭）：  40nS

技术：  TrenchThin

汽车：  NO

V（ CE ）：  600V

V（ CESAT ）：  2.90V

Bodydiode：  YES

安装：  SMD

栅极电荷：  11nC

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  10A

安装类型：  Surface Mount

标准包装：  3,000

开关能量：  130µJ (on), 60µJ (off)

时间Td（开/关） @ 25°C：  30ns/40ns

Vce（开） （最大值） Vge，Ic时：  2.4V @ 15V, 5A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  600V

供应商设备封装：  TO-252

反向恢复时间（trr ）：  100ns

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  29.4W

输入类型：  Standard

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IGBT类型：  Trench

测试条件：  300V, 5A, 5 Ohm, 15V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  RJH60A81RDPD-E0#J2CT