型号: RJH65T04BDPMA0#T2F
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 1.95V @ 15V，30A
功率 - 最大值： 65W
开关能量： 360µJ（开），350µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 74nC
25°C 时 Td（开/关）值： 35ns/115ns
测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 80ns
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： SC-94
供应商器件封装： TO-3PFP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨志
电话：18680085247
Q Q:
联系人：李锦
电话：028-86519933
Q Q:
联系人：陈祥贵
电话：17666128271
Q Q:
