型号: RJK0701DPN-E0#T2
功能描述: MOSFET N-CH 75V 100A TO220
制造商: Renesas Electronics America
PCN Obsolescence： Multiple Devices 15/Aug/2013
PCN Assembly/Origin： Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013
标准包装： 1
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷 (TR)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)： 75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 100A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 10000pF @ 10V
功率 - 最大值： 200W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-WPAK
ROHS： 无铅
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：林生
电话：13600403444
Q Q:
联系人：刘丽君
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13823235114
Q Q:
