型号: RJK6018DPK-00#T0
功能描述: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 1
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 30A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 235 毫欧 @ 15A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 4100pF @ 25V
功率 - 最大值： 200W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P
ROHS： 无铅
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