型号: RJK6026DPP-E0#T2
功能描述: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
制造商: Renesas Electronics America
PCN Obsolescence: Multiple Devices 15/Aug/2013
标准包装: 1
类别: 分立式导体产品
家庭: FET - 单
系列: *
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压 (Vdss): 600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): 5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 2.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 440pF @ 25V
功率 - 最大值: 28.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220FP
ROHS: 无铅
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