型号: RJK60S5DPK-M0#T0
功能描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PSG
制造商: Renesas Electronics America
特色产品： SuperJunction (SJ) MOSFETs
PCN Obsolescence： Multiple Devices 16/Aug/2013Multiple Devices 01/Jul/2013
标准包装： 100
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 超级结
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 20A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 178 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 1600pF @ 25V
功率 - 最大值： 192.3W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3PSG
供应商器件封装： TO-3PSG
其它名称： RJK60S5DPKM0T0
ROHS： 无铅
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