型号: RJM0603JSC-00#12
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 20 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2600pF @ 10V
功率 - 最大值： 54W
工作温度： 175°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装： 20-HSOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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