型号: RJP65T54DPM-A0#T2
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值： 63.5W
开关能量： 330µJ（开），760µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 72nC
25°C 时 Td（开/关）值： 35ns/120ns
测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： SC-94
供应商器件封装： TO-3PFP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：张S
电话：13631518768
Q Q:
联系人：曾世钦
电话：15973501778
Q Q:
联系人：蔡先生
Q Q:
