型号: RJP65T54DPM-A0#T2
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值： 63.5W
开关能量： 330µJ（开），760µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 72nC
25°C 时 Td（开/关）值： 35ns/120ns
测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： SC-94
供应商器件封装： TO-3PFP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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