型号: RN1106MFV,L3F
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
典型电阻器比率: 0.1
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
最大工作频率: -
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
峰值直流集电极电流: -
Pd-功率耗散: 150 mW
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: RN1106MFV
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
商标: Toshiba
通道模式: Enhancement
最大直流电集电极电流: 100 mA
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 8000
子类别: Transistors
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