型号: RN1110MFV(TPL3)
功能描述: 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 否
配置: Single
晶体管极性: NPN
安装风格: SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min: 700
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 150 mW
最大工作温度: + 150 C
系列: RN1110MFV
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 50 V
直流电流增益 hFE 最大值: 120 @ 1mA @ 5V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
商标: Toshiba
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 8000
子类别: Transistors
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