型号: RN1903,LF(CT
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）： 22 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 250MHz
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： US6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
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