型号: RN2101,LF(CT
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2): 4.7 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 30 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: SSM
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈敏
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