型号: RN2112,LF(CB
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表: RN2112-13 -
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列: -
包装: 带卷(TR)
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 22k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): -
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 120 @ 1mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: SSM
其它名称: RN2112(T5L,F,T)RN2112(T5LFT)TRRN2112(T5LFT)TR-NDRN2112,LF(CTRN2112LF(CBTRRN2112LF(CTTRRN2112LF(CTTR-ND
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