型号:  RN2312(TE85L,F)

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  RN2312,13 -

产品培训模块：  General Purpose Discrete Items

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

系列：  -

包装：  带卷（TR）

晶体管类型：  PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：  22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：  -

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  120 @ 1mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：  300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：  200MHz

功率 - 最大值：  100mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-70，SOT-323

供应商器件封装：  USM

其它名称：  RN2312(TE85LF)RN2312(TE85LF)-NDRN2312(TE85LF)TRRN2312TE85LF