型号: ROHEM6K6T2R
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6EMT
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 0.3 A
RDS -于： 1000@4V mOhm
最大门源电压： ±8 V
典型导通延迟时间： 5 ns
典型上升时间： 10 ns
典型关闭延迟时间： 15 ns
安装： Surface Mount
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