型号: ROHUS6M1TR
功能描述: Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6TUMT
渠道类型： N|P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30@N Channel|20@P Channel V
最大连续漏极电流： 1.4@N Channel|1@P Channel A
RDS -于： 240@10V@N Channel|390@4.5V@P Channel mOhm
最大门源电压： 20@N Channel|12@P Channel V
典型导通延迟时间： 6@N Channel|9@P Channel ns
典型上升时间： 6@N Channel|8@P Channel ns
典型关闭延迟时间： 13@N Channel|25@P Channel ns
典型下降时间： 8@N Channel|10@P Channel ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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