型号: RQ3E130MNTB1
功能描述: MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSMT-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
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联系人：肖瑶，树平
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联系人：钱先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
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联系人：赵晓珊
电话：13632707739
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Q Q:
