型号: RU3030M2
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 30A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 29W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈孝兵
电话：18319381531
Q Q:
联系人：范小姐
Q Q:
联系人：黄生
电话：18173536606
Q Q:
