型号: RU6055L
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W 类型：N沟道
制造商: Ruichips(锐骏半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 60A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 12mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 97W
类型: N沟道
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李伟
电话：17369291241
Q Q:
联系人：郑小姐
Q Q:
联系人：林钿
电话：13823301721
Q Q:
