型号:  RW1C026ZPT2CR

功能描述:  MOSFET Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563T-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  700 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  RW1C026ZP

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2.2 S

下降时间:  850 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  290 ns

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  2.55 us

典型接通延迟时间:  170 ns

零件号别名:  RW1C026ZP

单位重量:  3 mg