型号:  SCT10N120

功能描述:  MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  HiP-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  500 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  22 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 200 C

Pd-功率耗散:  150 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiP247â?¢

封装:  Tube

系列:  SCT10N120

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  17 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12 ns

工厂包装数量:  600

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  7 ns