型号: SCT3105KRC14
功能描述: 1200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 137 毫欧 @ 7.6A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.6V @ 3.81mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 51nC @ 18V
Vgs（最大值）: +22V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 574pF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 134W
工作温度: 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4
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