型号: SCTH35N65G2V-7
功能描述: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
制造商: STMicroelectronics
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 67毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 73nC @ 20V
Vgs（最大值）: +22V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1370pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-7
封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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