型号: SCTWA50N120
功能描述: MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 122 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 318 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiP247â?¢
系列: SCTWA50N120
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
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