型号: SE10015
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：80mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 15A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA(最小)
漏源导通电阻: 80mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W
类型: N沟道
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