型号: SE150110G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 110A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 7.8mΩ @ 55A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：陈凯敏
电话：18320771255
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：苏
电话：18955319741
Q Q:
