型号: SE4606L
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,5A 漏源电压（Vdss）：20V,18V 栅源极阈值电压：650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻：32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V,18V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A,5A
栅源极阈值电压: 650mV @ 1mA(标准)
漏源导通电阻: 32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W,2W
类型: N沟道和P沟道
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