型号: SE4606L
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A,5A 漏源电压(Vdss):20V,18V 栅源极阈值电压:650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻:32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W,2W 类型:N沟道和P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V,18V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 7A,5A
栅源极阈值电压: 650mV @ 1mA(标准)
漏源导通电阻: 32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 3W,2W
类型: N沟道和P沟道
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