型号: SE4610
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：25V,40V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA,1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 4.5A,4.5V;28mΩ @ 9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 25V,40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA,1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 33mΩ @ 4.5A,4.5V;28mΩ @ 9A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W,2W
类型: N沟道和P沟道
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