型号: SE6050B
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W 类型：N沟道
制造商: SINO-IC(光宇睿芯)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 50A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 80W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：黄世立
电话：15915415874
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
联系人：郑先生
Q Q:
