型号:  SG2003J/883B

功能描述:   Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin CDIP

制造商:  microsemi

标准包装：  1

晶体管类型：  7 NPN Darlington

集电极电流（Ic）（最大）：  500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  1.6V @ 500µA, 350mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  1000 @ 350mA, 2V

功率 - 最大：  -

频率转换：  -

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  16-CDIP (0.300", 7.62mm)

供应商器件封装：  16-CDIP

包装材料 ：  Tube

动态目录：  NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/33372?mpart=SG2003J-883B&vendor=1259&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  16CDIP

配置：  Array 7

类型：  NPN

最大集电极发射极电压：  50 V

峰值直流集电极电流：  0.5 A

最小直流电流增益：  1000@350mA@2V

最大集电极发射极饱和电压：  1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V

安装：  Through Hole

抗辐射：  Yes

标准包装：  Rail / Tube

供应商封装形式：  CDIP

标准包装名称：  CDIP

最高工作温度：  125

最低工作温度：  -55

Maximum Continuous DC Collector Current ：  0.5

最大集电极发射极饱和电压：  1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1...

每个芯片的元件数：  7

PCB：  16

筛选等级：  Military

最大集电极发射极电压：  50

引脚数：  16

铅形状：  Through Hole

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  500mA

晶体管类型：  7 NPN Darlington

安装类型：  Through Hole

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  1.6V @ 500µA, 350mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  16-CDIP

封装：  Tube

封装/外壳：  16-CDIP (0.300", 7.62mm)

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  1000 @ 350mA, 2V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.5 A

集电极 - 发射极电压：  50 V

工作温度范围：  -55C to 125C

包装类型：  CDIP

极性：  NPN

元件数：  7

直流电流增益：  1000

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  Yes