型号: SGB02N60
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: SGB02N60
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 带卷(TR)
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 12A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.4V @ 15V,2A
功率 - 最大值: 30W
开关能量: 64µJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 14nC
25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/259ns
测试条件: 400V,2A,118 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO263-3
其它名称: SGB02N60ATMA1SP000011978
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