型号:  SH8M13GZETB

功能描述:  MOSFET 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  6 A, 7 A

Rds On-漏源导通电阻:  22 mOhms, 21.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  5 nC, 18 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2.5 S, 6 S

下降时间:  7 ns, 65 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16 ns, 40 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30 ns, 80 ns

典型接通延迟时间:  8 ns, 12 ns

零件号别名:  SH8M13