型号:  SI1021R-T1-GE3

功能描述:  Si1021R Series P-Channel 60 V 4 Ohm 1.7 nC Surface Mount Power Mosfet - SC-75A

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  190mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  1.7nC @ 15V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  23pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  250mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-75A

封装形式Package：  SC-75-3

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  190mA

漏源极导通电阻RDS(ON)：  8Ohms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs