型号: SI1912EDH
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 1.28 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 740 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
商标: Vishay / Siliconix
配置: Dual
最小工作温度: - 55 C
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