型号: SI2301A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：142mΩ @ 2A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2.8A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 142mΩ @ 2A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 400mW
类型: P沟道
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