型号:  SI2304DS.215

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  1.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：  117 mOhm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  4.6nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  195pF @ 10V

功率 - 最大：  830mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  1.7 A

RDS -于：  117@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  4 ns

典型上升时间：  7.5 ns

典型关闭延迟时间：  18 ns

典型下降时间：  13 ns

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  1.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  117 mOhm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  830mW

输入电容（Ciss ） @ VDS：  195pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  4.6nC @ 10V

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-5957-1

工厂包装数量：  3000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  1.7 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  177 mOhms

功率耗散：  830 mW

最低工作温度：  - 65 C

封装/外壳：  SOT-23

零件号别名：  SI2304DS T/R

上升时间：  7.5 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  7.5 ns

Continuous Drain Current Id：  :500mA

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :117mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

功耗：  :830mW

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：  :1.7A

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

端接类型：  :SMD

晶体管类型：  :Enhancement

Voltage Vds Typ：  :30V

Voltage Vgs Max：  :2V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V