型号: SI2305A
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 4.2A
栅源极阈值电压: 500mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻: 65mΩ @ 4.2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.38W
类型: P沟道
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:Alien
联系人:小赵
电话:13206957829
联系人:周小姐
电话:13974055393
联系人:钟开锐
电话:13590481373