型号: SI2305A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A
栅源极阈值电压: 500mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻: 65mΩ @ 4.2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.38W
类型: P沟道
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