型号: SI2305DS-T1-GE3
功能描述: MOSFET 8.0V 3.5A 1.25W 52mohm @ 4.5V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： P-Channel
汲极/源极击穿电压： 8 V
闸/源击穿电压： +/- 8 V
漏极连续电流： 3.5 A
导通电阻： 52 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOT-23-3
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 25 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 1.25 W
上升时间： 25 ns
工厂包装数量： 3000
典型关闭延迟时间： 55 ns
零件号别名： SI2305DS-GE3
ROHS： 无铅
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