型号: SI2306BDS-T1-G
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 3TO-236
通道模式： Enhancement
最大连续漏极电流： 3.16 A
RDS -于： 47@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 7 ns
典型关闭延迟时间： 14 ns
典型下降时间： 6 ns
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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