型号: SI2305DS-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 3.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1245pF @ 4V
Vgs(最大值): ±8V
功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装形式Package: SOT-23
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 8V
连续漏极电流ID: 3.5A
无铅情况/RoHs: 否
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联系人:肖瑶,树平
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