型号: SI2305DS-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1245pF @ 4V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 8V
连续漏极电流ID： 3.5A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
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联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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电话：17080955875
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Q Q:
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Q Q:
